SiT8920是一款专注超宽温、恶劣环境下的坚固可靠的单端MEMS抗冲击宽温晶振。SIT8920其独特的硅MEMS和模拟电路设计，在多个主要性能指标超越石英晶振。虽然是在-55°至+125°的宽广温度范围内工作，但SiT8920的功耗为石英晶振的一半，稳定性却是后者的两倍。SiT8920在总体器件可靠性、抗冲击和振动性能方面，更分别提高了20倍和30倍。
SiT8920抗冲击、宽温晶振具有0.1 ppb/g振动灵敏度（g灵敏度），50000g冲击和70g抗振动和5亿小时MTBF。此外，SIT8920还提供了高频（高达110 MHz）、最佳频率稳定性（±20 ppm）、军工温度范围（-55°C至125°C）和小封装（2.0 x 1.6 mmxmm）的完美组合，这是石英晶振无法实现的。SiT8920抗冲击宽温晶振集成了SiTime独特的SoftEdge 上升/下降时间控制，可在无需额外电路元件、增加昂贵的屏蔽罩、或重新设计PCB的前提下降低系统EMI。
选型参数：
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频率范围
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1MHz - 110MHz，可精确到小数点后6位
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频率稳定性(ppm)
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±20，±25，±30，±50
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相位抖动(ps)
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1.3ps
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输出类型
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LVCMOS
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工作温度范围(℃)
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-55 ~ +125
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上升/下降时间(ns)
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可配置，降低EMI
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工作电压(V)
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1.8 ~ 3.3
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封装尺寸(mm2)
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2.0x1.6，2.5x2.0，3.2x2.5，5.0x3.2，7.0x5.0
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特点
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-55℃ ~ +125℃，可编程制程任意参数自由组合
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SiT8920抗冲击、宽温晶振大大地提高了系统性能，减少电子产品在恶劣环境中的故障，成为机车控制，油田、矿山、航天军工等恶劣工况电子控制的首选时钟源。