西铁城晶振:32.768K贴片晶振、32.768K圆柱晶振、MHz贴片晶振,具有小型、薄型、耐热性、耐冲击性等特点,应用于智能终端、网络设备、工业设备、安防设备等。超小型,薄型,质地轻的表面贴片音叉型晶体谐振器,具备优良的耐热性,耐环境特性,在办公自动化,家电领域,移动通信领域可发挥优良的电气特性,符合无铅标准。
CITIZEN西铁城CFS-206音叉晶体,CFS-20632768KDZF-UB插件晶振,日本进口CITIZEN西铁城晶振,CFS-206是一款小体积晶振尺寸2*6mm晶振。
型号 |
规格 |
最小包装 |
备注 |
CFS-20632768HZFB |
CFS206 32.768KHZ 12.5PF 5PPM |
1000 |
Stock available |
CFS-20632768EZFB |
CFS206 32.768KHZ 12.5PF 10PPM |
1000 |
Stock available |
CFS-20632768DZFB |
CFS206 32.768KHZ 12.5PF 20PPM |
1000 |
Stock available |
CFS-20632768DZBT |
CFS206 32.768KHZ 6PF 20PPM |
1000 |
Stock available |
CM315D32768DZBT |
CM315D 32.768KHZ 6PF 20PPM |
3000 |
Stock available |
CM315D32768DZCT |
CM315D 32.768KHZ 9PF 20PPM |
3000 |
Stock available |
CM315D32768DZFT |
CM315D 32.768KHZ 12.5PF 20PPM |
3000 |
Stock available |
CM41532768DZFT |
CM415 32.768KHZ 12.5PF 20PPM |
3000 |
Stock available |
CM2012H32768DZFT |
CM2012H 32.768KHZ 12.5PF 20PPM |
3000 |
Stock available |
CH2012H32768DZFT |
CH2012H 32.768KHZ 12.5PF 20PPM |
3000 |
Stock available |
CFV20677.503KDZFT |
CFV206 77.503KHZ 12.5PF 20PPM |
1000 |
Stock available |
CFV20675KDZFT |
CFV206 75KHZ 12.5PF 20PPM |
1000 |
|
CFV20640.003KDZF |
CFV206 40.003KHZ 12.5PF 20PPM |
1000 |
Stock available |
CFV20660.003KDZF |
CFV206 60.003KHZ 12.5PF 20PPM |
1000 |
Stock available |
CMJ20632768KDZBT |
CMJ206 32.768KHZ 6PF 20PPM |
3000 |
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CMJ20632768KDZFT |
CMJ206 32.768KHZ 12.5PF 20PPM |
3000 |
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CMR200T32768DZYT |
CMR200T 32.768KHZ 7PF 20PPM |
2000 |
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CMR200T32768DZFT |
CMR200T 32.768KHZ 12.5PF 20PPM |
2000 |
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CM200C32768DZFT |
CM200C 32.768KHZ 12.5PF 20PPM |
3000 |
Stock available |
CM51932768DZFT |
CM519 32.768KHZ 12.5PF 20PPM |
3000 |
Japan Stock available |
西铁城晶振公司严格遵守国家有关工程建设法律、法规,不断提高员工的质量意识和能力,履行合约、信守承诺,坚持开拓创新,不断提升企业的施工技术素质和质量管理水平,以科学学严密的施工管理和真诚的服务让业主高度满意。
操作
请勿用镊子或任何坚硬的工具,夹具直接接触IC的表面使用环境(温度和湿度)
请在规定的温度范围内使用进口晶振。这个温度涉及本体的和季节变化的温度。在高湿环境下,会由于凝露引起故障。请避免凝露的产生
晶体谐振器
如果过大的激励电力对晶体谐振器外加电压,有可能导致特性老化或损坏,因此请在宣传册、规格书中规定的范围内使用.
让谐振器振荡的电路宽裕度大致为负性阳抗值,本公司推荐此负性阻抗为谐振器由联电阳规格值的5倍以上若是车载和安全设备,则堆荐10倍以上
晶体振荡器>
晶体振荡器的内部电路使用C-MOS.闭锁、静电对策请和一般的C-MOSIC一样考虑
有些晶体振荡聚没有和旁路电容器进行内部连接,使用时,请在Vdd-GND之间用0.01uF左右的高频特性较好的电容器(陶瓷片状电容器等)以最短距离连接.关于个别机型请确认宣传册、规格书
晶体滤波器>注意电路板图形的配置,避免输入端子和输出端了靠得太近如果贴装晶体滤光片的电路板的杂散电容较大,为了消除该杂散电容,有时需要配置调谐电路如果过大的激励电力对石英晶体谐振器外加电压,有可能导致特性老化或损坏,因此请在晶体滤波器的输入电平在-10dBm以下的状态下使用.
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