耗尽型MOSFET在工业传感器、智能变送器中的应用
近年来，耗尽型MOSFET日益受到重视，广泛应用于固态继电器、“常开”开关、线形运放、恒流源、恒压源和开关电源等，涵盖了家用电器、消费电子、工业控制、汽车电子、电信设施和航空航天等领域。
耗尽型MOSFET分为两种类型：
N沟道耗尽型MOSFET，即：导电沟道为N型，参与导电的主要是电子，以及P沟道耗尽型MOSFET，即:导电沟道为P型，参与导电的主要是空穴。由于电子的迁移率远高于空穴，N沟道耗尽型MOSFET具有更强的电流处理能力，得到了更广泛地运用。
当栅极-源极电压Vgs=0V时，其导电沟道即已存在，器件处于开通状态。当栅极-源极电压时（N沟道）或VgsSVgspff) (P沟道），其导电沟道因沟道中的载流子耗尽而消失，器件处于关断状态。由于在零栅偏时，器件处于导通状态，因此耗尽型器件又称为“常开”（Normally On)器件。
利用耗尽型MOSFET的亚阈值特性，我们可以很方便地建立一个简单的电压调节器，具有高电压调节范围和稳定的电压输出。也可以组成一个稳定的恒流源。同时，这种电压源或电流源具有极佳的抗干扰能力，能有效地抑制瞬态电压或浪涌电流。
如图2所示，当VDD增加时，流过电路的电流IDS增加，导致耗尽型MOSFET源极电位VS升高，即VGS绝对值I VGS I增加，并引起器件导电沟道变窄，电流增加减缓。在此过程中负载Rl两端的电压VS无限接近器件的关断电压I VGS (OFF) \ ，VS^ I VGS (OFF)
I，即VS钳位在I VGS OFF) I处，不再随输入电压VDD的增加而变化。负载RL流过的电流II (L = VS/RL)也不随输入电压VDD的增加而变化。
Vdd 的最大值 Vddmax =BVdsx + I Vgs (off) I
其中，BVdsx为耗尽型MOSFET漏源极之间的击穿电压。由此可以看出利用耗尽型MOSFET可以组成一个简单稳定的高电压输入的电压调节器或电流源，同时具有极佳的瞬态抑制能力。
图3
利用运算放大器或电压基准源，可以很容易实现指定的输出电压。
如图3所示，K与V!具有如下关系：Vo = Vi X ( 1 + R2/Rj )
因此，通过配置R2和R1的组合，可以轻松确定负载的工作电压Vs:Vs =Vo + I Vgs (OFF) I其中，Vgs (off)为耗尽型MOSFET的关断电压。传感器、变送器一般工作在恶劣环境中，使用耗尽型MOSFET，不仅实现高电压供电，而且还能有效抑制浪涌或瞬态干扰，保证系统安全、正常工作。
下面，以一款常用的智能变送器为例简要说明耗尽型MOSFET在工业传感器、智能变送器中的典型应用。
在图4中，可以选用DMX1072或DMS4022耗尽型MOSFET，给环路供电型4mA〜20mA数模转换电路AD421供电。DMX1072采用SOT-89封装，主要参数为：耗散功率1W，耐压100V，饱和电流大于0.7A，导通电阻最大值3Q，如果直接用在4mA〜20mA供电环路中，可支持高达24V的电压输入。
DMS4022采用SOT-223封装，主要参数为：耗散功率1.5W，耐压400V，饱和电流大于200mA，导通电阻最大值25Q左右。采用DMS4022,支持高达48V的高电压输入，并同时抑制高达400V的瞬态浪涌，对系统实行有效的过压、过流保护，这对于诸如工业现场、电机控制、变频调速等复杂电磁环境的应用尤为重要。汽车中有许多电机，这些感性负载可能产生高达300V的电压瞬态，因此选择DMS4022能有效地防止瞬态干扰和破坏。