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您当前所在位置:元器猫> 晶振百科> 晶振型号参数选购之输出负载
  • 晶振型号参数选购之输出负载
  • 阅读量:746

  晶振采用各种封装,并具有多种电气性能规格。有几种不同的类型:电压控制晶振(VCXO),温度补偿晶振(TCXO),恒温晶振(OCXO )和数字补偿晶振(MCXO或DTCXO),每种类型都有其独特的功能。如果需要准备使用该设备,则必须使用VCXO或温度补偿的晶体。如果所需的稳定性高于0.5ppm,则需要选择数字温度补偿晶振(MCXO)。模拟温度补偿晶振适合要求稳定性在5 ppm至0.5 ppm之间的应用。VCXO仅适用于稳定性要求低于5ppm的产品。在不需要开箱即用的环境中,如果信号稳定性超过0.1 ppm,则可以使用OCXO。
  
  晶振输出:
  
  必须考虑的其他参数是输出类型,相位噪声,抖动,电压特性,负载特性,功耗和封装形式。对于工业产品,有时会考虑冲击和振动以及电磁干扰(EMI)参数。晶振为HCMOS / TTL兼容,ACMOS兼容,ECL和正弦波输出。每种输出类型都有其独特的波形特征和用途。应注意三态或互补输出的要求。还为某些应用指定了对称性,上升和下降时间以及逻辑电平。许多DSP和通信芯片组通常要求紧密的对称性(45%至55%)以及快速的上升和下降时间(小于5 ns)。相位噪声和抖动:在频域测量中获得的相位噪声是短期稳定性的真实度量。它测量的中心频率最高为1 Hz,通常为1 MHz。晶振的相位噪声在远离中心频率的频率处得到改善。TCXO和OCXO晶振,以及其他使用基本或谐波方法的晶振,具有最佳的相位噪声性能。与使用非锁相环技术的晶振相比,使用锁相环合成器产生输出频率的晶振通常表现出较差的相位噪声性能。
  
  抖动与相位噪声有关,但它是在时域中测量的。可以用有效值或峰峰值测量以微秒为单位的抖动。许多应用程序,例如通信网络,无线数据传输,ATM和SONET要求,必须满足严格的饱和规范。务必密切注意这些系统中使用的晶振的抖动和相位噪声特性。
  
  晶振功率和负载影响:
  
  晶振的频率稳定性还受到晶振电源电压变化和晶振负载变化的影响。正确选择晶振可使这些影响最小化。设计人员应在推荐的电源电压容差和负载下验证晶振的性能。在驱动50pF时,预期仅能额定为15pF的晶振会表现良好。在高于推荐电源电压的条件下工作的晶振也将显示较差的波形和稳定性。对于需要电池供电的设备,请务必考虑功耗。引入3.3V产品势必会开发出以3.3V工作的晶振。较低的电压可使产品在低功率下运行。大多数市售的贴片晶振工作在3.3V电压下。